1. 研究目的与意义
参考《刘立浩. GaAs MESFET击穿特性研究》：MESFET是GaAs中最常见最成熟的一种器件，目前国产MESFET存在钝化后栅漏反向击穿电压大幅度降低而且不稳定的问题，严重影响器件的输出功率、效率、烧毁能力及长期可靠性。国内对于GaAs MESFET的击穿特性研究仍处于初步阶段，这成为了一个非常重要的问题。
我国化合物半导体器件和材料方面，研究基础薄弱，发展缓慢，技术又很难从国外引进。要使我国化合物半导体材料和器件尽快赶上世界先进水平，必须以国家牵头，带动科研，联合攻关，加强督促和检查。相信有朝一日，必能赶上国际一流水平。
以最为常见的GaAs-MESFET为例，其具有优良的微波、高速、大功率和低噪音等性能。与微波硅BJT相比，GaAs-MESFET不仅工作频率高 (可达60GHz)、噪声低，而且饱和电平高、可靠性高等。GaAs具有禁带宽度大（并且为直接带隙）、易制成半绝缘材料、本征载流子浓度低、抗辐射性能优、耐热性能好、光电特性好和对磁场敏感等优良特性。GaAs不仅可以用来制作MESFET，还可以开发一些其他器件，这些器件在移动通讯、光纤通讯、卫星接受、情报处理、雷达还有一些其他地方发挥着不可忽视的作用。而GaAs MESFET在微波电路中有着普遍广泛和重要的应用。
2. 研究内容和问题
研究内容：通过对MESFET器件相关研究文献的查阅，分析MESFET的器件结构、工作原理，再结合其工艺实现条件，利用TCAD Silvaco软件建立器件模型，通过实验数据验证模型的正确性。
研究目标：MESFET的各项性能。
解决的关键问题：1、熟练的使用TCAD Silvaco软件，并且利用它进行MESFET器件工艺仿真和性能研究；2、设计MESFET器件，测出其输出特性，饱和电平，击穿电压等
3. 设计方案和技术路线
研究方法：先对MESFET器件基本结构进行仿真分析，得出工作频率、饱和电平、击穿电压等；然后使用不同材料制作的MESFET做性能上的横向对比。
技术路线：阅读文献，设计器件基本结构，器件工艺仿真，器件性能研究
4. 研究的条件和基础
已学习和掌握了MESFET的相关内容，具有运用TCAD Silvaco软件的能力，并有相关的文献资料，具备完成该课题的基本条件。
以上是毕业论文开题报告，课题毕业论文、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
